Rezumat:

Scopul proiectului dat este dezvoltarea tehnologiei de primire şi cercetare a cristalelor în formă de fire din semiconductori Ge, Si până la semimetale pe bază de Bi pentru utilizare în scopuri practice cum ar fi tensometria şi în convertoare termoelectrice de energie.

Firele din semiconductorii Ge, Si în formă de cristale filiforme vor fi crescute prin metoda reacţiilor chimice de transport al gazelor. Cristalele filiforme din Ge, precum şi firele de dimensiuni nanometrice din Bi aliat în izolaţie de sticlă, vor fi obţinute prin metoda turnării din faza lichidă şi metoda injecţiei sub presiune înaltă (high press injection). În calitate de metode pentru îmbunătăţirea calităţii firelor în izolaţie de sticlă vor fi utilizate metodele de recristalizare cu laserul şi cea zonală. Metoda de deformare anizotropă a firelor va fi utilizată atât pentru realizarea diferitor tipuri de tranziţii topologice electronice, înregistrarea cărora va fi realizată cu ajutorul studiului oscilaţiilor Shubnikov de Haas în câmp magnetic până la 14 T la temperaturi 1.3 – 4.2 К, cât şi pentru studiul influenţei deformării elastice asupra proprietăţilor magneto-termo-electrice şi tensometrice în cristale filiforme din semimetale şi semiconductori cu diferite diametre şi conţinuturi.

Ca urmare a cercetăriilor efectuate vor fi propuse elemente sensibile pentru traductoare tensometrice ce funcţionează într-un diapazon extins de temperaturi şi deformări elastice (până la 2 – 3%) şi simultan sunt senzori ai conversiei termoelectrice de energie, precum şi elemente pentru traductori tensometrici ce nu sunt sensibili la câmp magnetic (până la 14 T) în diapazonul de temperaturi 4.2 – 300 К şi nu au analogii în studii de magnetostricţiune.